Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse
Caractéristiques
Courant de collecteur (C.C):
3A
Tension de collecteur-base:
60 V
Tension de collecteur-émetteur:
60 V
tension d'Émetteur-base:
7V
Fréquence:
120MHz
Dissipation du pouvoir:
2w
Polarité de transistor:
NPN
Chaîne fonctionnante de Temp:
-55C à 150C
Point culminant:
epitaxial planar pnp transistor
,silicon npn power transistors
Introduction
2SD1899 NPN PNP Transistors de silicium NPN Puissance Transistors
Définition
·faible tension de saturation du collecteur
·testé à 100% en avalanche
·Variations minimales par lot pour des performances robustes du dispositif et un fonctionnement fiable
Applications
·Applications à haute fréquence de transition
Les spécifications
Catégorie: BJT - Objectif général
Fabricant: RENESAS TECHNOLOGY
Courant du collecteur (CC) : 3 ((A)
Voltage de base du collecteur: 60 V
Voltage collecteur-émetteur: 60 V
Voltage de base de l'émetteur: 7 V
Fréquence: 120 MHz
Dissipation de l'énergie:
Montage: surfaces
Plage de température de fonctionnement: -55°C à 150°C
Type de colis: TO-252
Nombre de broches: 2 + Tab
Nombre d'éléments: 1
Classification de température de fonctionnement: militaire
Catégorie: Puissance bipolaire
Rad durci: Non
Polarité du transistor: NPN
Puissance de sortie: pas nécessaire ((W)
Configuration: unique
Le gain de courant continu: 60@0,2A@2V/50@2A@2V
PRODUITS CONNEXES
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Dispositif antiparasite de montée subite passager de tension de P6KE440ARL 15kV 600W DO-15
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Groupement actuel bipolaire de la puissance 65W HFE des transistors 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
Bâti extérieur de dispositif antiparasite passager de tension de SM6T15CAY TV
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 stock neuf et original
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 stock neuf et original
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 STOCK NEUF ET ORIGINAL
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Image | partie # | Description | |
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Dispositif antiparasite de montée subite passager de tension de BZW50-39BRL 180V Transil TV 5000W |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
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Dispositif antiparasite de montée subite passager de tension de P6KE440ARL 15kV 600W DO-15 |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
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Groupement actuel bipolaire de la puissance 65W HFE des transistors 100V 6A de TIP42C NPN PNP |
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27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
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2N7002 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
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BCP52-16 RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
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STW45NM60 stock neuf et original |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
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Courant:
MOQ:
10 PCS