Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
MAX191BCWG+ | 2338 | MAXIME | 16+ | SOIC-24 |
MAX1932ETC+T | 3044 | MAXIME | 13+ | QFN |
MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
MAX253CSA+ | 6562 | MAXIME | 14+ | SOP-8 |
MAX3051EKA+T | 3853 | MAXIME | 14+ | SOT-23 |
MAX3061EEKA | 4024 | MAXIME | 15+ | SOT23-8 |
MAX3070EESD | 5557 | MAXIME | 16+ | SOP-14 |
MAX31865ATP+T | 3707 | MAXIME | 16+ | QFN20 |
MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
MAX3224ECAP | 4095 | MAXIME | 16+ | SSOP-20 |
MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
MAX3232CUE | 3986 | MAXIME | 16+ | TSSOP |
MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
MAX32590-LNJ+ | 553 | MAXIME | 13+ | Na |
MAX3311CUB | 2302 | MAXIME | 16+ | MSOP-10 |
MAX3311EEUB | 2324 | MAXIME | 16+ | MSOP-10 |
MAX3442EEPA+ | 3095 | MAXIME | 16+ | DIP-8 |
MAX3442EESA+T | 5829 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
MAX3486CSA | 15889 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
MAX3490CSA+ | 11077 | MAXIME | 13+ | SOP-8 |
MAX4080SASA+T | 15089 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
MAX418CPD | 3034 | MAXIME | 14+ | DIP-14 |
MAX4624EZT | 15171 | MAXIME | 16+ | SOT23-6 |
MAX4663CAE | 2151 | MAXIME | 16+ | SSOP-16 |
MAX472CPA | 4115 | MAXIME | 15+ | DIP-8 |
MAX491CPD+ | 14840 | MAXIME | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
Transistor MOSFET Zener-protégé de SuperMESH™Power
■Ω 1,76 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME
DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.
APPLICATIONS
■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE
■IDÉAL POUR LES ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE, LES ADAPTATEURS ET LE PFC EN DIFFÉRÉ
■ÉCLAIRAGE
CAPACITÉS ABSOLUES
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 |
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z STD4NK60Z-1 |
|||
VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V | ||
VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
VGS | Tension de source de porte | ± 30 | V | ||
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
IDM (•?) | Courant de drain (pulsé) | 16 | 16 (*) | 16 | |
PTOT | Dissipation totale à comité technique = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
Sous-sollicitation du facteur | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
VESD (G-S) | Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte | 3000 | V | ||
dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 4,5 | V/ns | ||
VISO | Tension de tenue d'isolation (C.C) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg |
La température de jonction fonctionnante Température de stockage |
-55 à 150 -55 à 150 |
°C |
(•? ?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée