Transistor MOSFET de SuperMESHPower Zener-protégé parCANAL de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de smd⑩ de P10NK80ZFP
npn smd transistor
,silicon power transistors
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP STW10NK80Z
Le N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-a protégé le transistor MOSFET de SuperMESH™Power
TYPE | VDSS | Le RDS (dessus) | Identification | Picowatt |
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z |
800 V 800 V 800 V |
< 0=""> < 0=""> < 0=""> |
9 A 9 A 9 A |
160 W 40 W 160 W |
■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,78 Ω
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME
DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.
APPLICATIONS
■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE
■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE COMMUTATEUR
■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LA SOUDURE, L'UPS ET LA COMMANDE DE MOTEUR
CAPACITÉS ABSOLUES
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | ||
STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 800 | V | ||
VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
VGS | Tension de source de porte | ± 30 | V | ||
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C | 9 | 9 (*) | 9 | |
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C | 6 | 6 (*) | 6 | |
IDM (? •?) | Courant de drain (pulsé) | 36 | 36 (*) | 36 | |
PTOT | Dissipation totale à comité technique = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
Sous-sollicitation du facteur | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
VESD (G-S) | Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte | 4 | Kilovolt | ||
dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 4,5 | V/ns | ||
VISO | Tension de tenue d'isolation (C.C) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg |
La température de jonction fonctionnante Température de stockage |
-55 à 150 -55 à 150 |
°C °C |
(? •?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée.
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
BD82Q57 SLGZW | 423 | INTEL | 10+ | BGA |
X28HC64P-12 | 2500 | XICOR | 13+ | DIP-28 |
8909000938* | 1024 | BOSCH | 14+ | QFP |
8905507184* | 1013 | BOSCH | 15+ | QFP |
M48T08-150PC1 | 3594 | St | 14+ | IMMERSION |
LM318N | 4965 | NSC | 14+ | DIP-8 |
NTD2955-1G | 4500 | SUR | 14+ | TO-251 |
PCF7936AS | 2700 | 14+ | IVROGNE | |
LPV358MX | 6254 | 14+ | SOP-8 | |
XC5VSX50T-1FFG665I | 178 | XILINX | 10+ | BGA |
PCF7935AS | 2780 | 16+ | IVROGNE | |
LTC4413EDD#TRPBF | 6259 | LINÉAIRE | 10+ | QFN |
LPC1114FBD48/302 | 2731 | 15+ | QFP | |
NC7SZ175P6X | 38000 | FAIRCHILD | 16+ | SC70-6 |
LM340T-12 | 10000 | NSC | 15+ | TO-220 |
MAX6301CSA+T | 4137 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
MAX3232ECAE+T | 11300 | MAXIME | 16+ | SSOP |
XR2206CP | 4000 | EXAR | 14+ | DIP-16 |
OPA544T | 7920 | TI | 14+ | TO-220 |
PCA9517DR | 12120 | TI | 14+ | CONCESSION |
MC1455P1G | 8399 | SUR | 15+ | IMMERSION |